Der findes to typer Field effect transistorer, N-kanal og P-kanal.

Diagramsymbol for N-kanal.



N-kanalen skal have en negativ spænding på gaten og en positiv spænding på drainen, i forhold til sourcen.

Diagramsymbol for P-kanal.



P-kanalen skal have en positiv spænding på gaten og en negativ spænding på drainen, i forhold til sourcen.

Triode- og pinch-off område.


I triodeområdet (det ohmske område) varierer drainstrømmen stærkt med drainspændingen, det medfører en lav udgangsmodstand i dette område. Fet’en kan her anvendes som en spændingsstyret modstand.



I pinch-off området ID tilnærmelsesvis uafhængig af UDS, det medfører en høj udgangsmodstand i dette område.



Strømmen ID afhænger kun af gate-source spændingen i pinch-off området, hvilket anvendes når transsistoren arbejder som spændingsforstærker.

Stejlhed.
Komponentens stejlhed er et udtryk for drainstrømmens afhængighed af gate-sourcespændingen.



Stejlheden (Forward Transfer Admittance) forkortes gm, gfs eller Yfs.



Udgangsadmittans.
Udgangsledningsevnen er forholdet mellem strømændringen i drain og spændingsændringen over drain-source og benævnes YOS.



Jordet sourcekobling.


Rs frembringer gate-sourceforspændingen, idet gaten holdes på stel ved hjælp af RG og at RS løfter sourcen fra stel, derved bliver UGS negativ.

De nedre grænsefrekvenser fn, for de enkelte kondensatorer, findes ved:



Hvis det tilsluttet generators udgangsimpedans er stor, skal den adderes til RG i formlen





Ved konstruktions beregning vil man dimensionere kondensatorene 10 gange større, end beregnet med ovenstående formler.

Spændingsforstærkningen findes ved:





Zin er ved lave frekvenser lig med RG. Ved højere frekvenser skal der tages hensyn til kapaciteterne Crss og Ciss.



Crss antager en værdi, som set fra gaten, er spændingsforstærkningen støre.



Zin bliver da:



Zout findes ved:



Jordet drain (sourcefølger).


Spændingsforstærkningen findes ved:



Zout findes ved:



Jordet gate.


Karakteristiske data.

	den maksimale spænding mellem drain og source.
	den maksimale spænding mellem drain og gate.
	den maksimale spænding, der må påtrykkes gate-source dioden i spærreretningen.
	den maksimale strøm, der må løbe i gatetilledningen, når gate-source dioden er forspændt i lederetningen.
	den største effekt, der må afsættes i FET’en, er ofte angivet ved en bestemt temperatur. TA.
	den største temperatur, krystallet må antage ved drift.
	det temperatur område, hvor FET’en kan lagres, uden den er tilsluttet.
	drainstrømmen ved nul volt gatespænding og med en specificeret værdi
	gate-source break down spænding lig med maks. styrespænding, der må påtrykkes FET’en.
	gate-drain break down spænding.
	den påkrævede styrespænding på gaten, der skal til for at opnå en angivet strøm ved en specificeret DS spænding.
	gate-source pinch-off spænding dvs. den gatespænding hvor er reduceret til en angivet mindste værdi.
	gate reverse strøm dvs. gatespærrestrømmen målt ved en specificeret gatespænding og kortsluttet drain-source.